佐敦为长江存储器基地助力

发布时间:2020/04/29

严苛的洁净度要求、高温高湿施工环境,佐敦迎难而上,为长江存储器基地项目提供涂料高性能解决方案,为项目的提前封顶助力。

 

 

 

长江存储器基地项目位于武汉东湖高新区的武汉未来科技城,项目一期规划投资240亿美元,占地面积1968亩,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 生产厂房,其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目(一期)于201612月开建,20179月其建筑面积达52.4万平米的一号生产及动力厂房提前封顶,整体预计将于2018年投入使用。

 

在半导体材料、器件制造行业,特别是如长江存储基地项目这样高集成度和微型化器件项目,有十分严格的洁净度要求。厂房的洁净度不仅仅指房间的清洁程度,同时对厂房修建所使用的建筑材料,特别是直接和厂房内部接触的涂料,要求极其严格。面对业主的洁净度要求和武汉夏季高温高湿施工环境的严峻考验,佐敦全力配合,在该项目主体钢结构提供涂料保护,及时完成任务,为项目的提前封顶贡献一份力量。

长江存储项目(一期)达产后,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美元。紫光集团董事长兼长江存储公司董事长赵伟国评价存储器基地项目是中国集成电路存储芯片产业规模化发展“零”的突破,相当于中国科技领域的辽宁号航空母舰出海试航。日前,苹果公司亦向长江存储公司表达合作意向,希望购买其生产的NAND闪存芯片。此合作谈判得到国内外广泛关注,被视此为中国存储芯片崛起的佐证。